Comparación del método de Harman vs espectroscopía de impedancias para medir la figura de mérito de dispositivos termoeléctricos con MoS2

Los termoeléctricos (TE) son materiales que tienen la capacidad de convertir gradientes de calor en diferencias de potencial, esta propiedad los hace útiles para mejorar rendimiento energético de procesos físicos. Las nanoestructuras han ido ganando atención como alternativa para mejorar la eficienc...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Osorio Vargas, Juan Fernando
Format: Bachelor Thesis
Language:Spanish
Published: Universidad de los Andes 2018
Subjects:
Online Access:http://hdl.handle.net/1992/39463
Description
Summary:Los termoeléctricos (TE) son materiales que tienen la capacidad de convertir gradientes de calor en diferencias de potencial, esta propiedad los hace útiles para mejorar rendimiento energético de procesos físicos. Las nanoestructuras han ido ganando atención como alternativa para mejorar la eficiencia de los termoeléctricos en dirección normal al plano. Estructuras basadas en grafeno tienen la posibilidad de ser altamente eficientes si se logran acoplar con algún material que mejore la conductividad eléctrica y disminuya la conductividad térmica en esta dirección. En este trabajo se construyeron dispositivos TE con una estructura a capas de MoS2 y grafeno. La figura de mérito (ZT) fue medida usando el método transitorio de Harman (THM) y espectroscopía de impedancias (EIS). Se obtienen valores hasta 2,37 con THM y 2,67 con EIS. Estos valores son relacionados con imágenes de respuesta eléctrica a nanoescala usando AFM-ORCA. Thermoelectrics (TE) are materials capable of converting temperature gradients into voltages, this property renders them useful to improve energetic performance in physical processes. Nanostructures have gathered attention as an alternative to improve the thermoelectric efficiency in the cross-plane direction. Graphene based structures have the posibility of being highly efficient if coupled with a material such that enhances electrical conductivity and decreases thermal conductivity in the aforementioned direction. In this work TE devices with a MoS2 and graphene layer structure were built. The figure of merit (ZT) was measured using the Transient Harman Method (THM) and Electrical Impedance Spectroscopy (EIS). Values of 2,37 were obtained via THM, and 2,67 using EIS. Said values were related with nanoscale images of electrical response using AFM-ORCA. Físico Pregrado