Çok tabakalı InGaN/GaN küresel kuantum noktasının elektronik ve optik özellikleri

ÇOK TABAKALI InGaN/GaN KÜRESEL KUANTUM NOKTASININ ELEKTRONİK VE OPTİK ÖZELLİKLERİ Sami ORTAKAYA Erciyes Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü Doktora Tezi, Nisan 2019 Tez Danışmanı: Prof. Dr. Ayhan GÜLDESTE ÖZET Bu çalışmada, geniş uygulama alanına sahip çok tabakalı InGaN/GaN/InGaN/GaN kuantum nokt...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Güldeste, Ayhan
Format: Doctoral or Postdoctoral Thesis
Language:Turkish
Published: 2019
Subjects:
Online Access:https://avesis.erciyes.edu.tr/advisingTheses/details/143c2d79-62d9-40a2-b097-44d67c32eb09/oai
Description
Summary:ÇOK TABAKALI InGaN/GaN KÜRESEL KUANTUM NOKTASININ ELEKTRONİK VE OPTİK ÖZELLİKLERİ Sami ORTAKAYA Erciyes Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü Doktora Tezi, Nisan 2019 Tez Danışmanı: Prof. Dr. Ayhan GÜLDESTE ÖZET Bu çalışmada, geniş uygulama alanına sahip çok tabakalı InGaN/GaN/InGaN/GaN kuantum noktasının elektronik ve optik özellikleri teorik olarak araştırılmıştır. Sayısal hesaplamalar etkin kütle yaklaşımı altında sonlu farklar-shooting yöntemiyle yapılmıştır. Kuantum mekaniksel yaklaşımlarla doğrusal ve doğrusal olmayan optik özelliklerin gelen ışığın frekansına bağlığı yooğunluk matris formalizmi kullanılarak elde edilmiştir . Çok tabakalı küresel kuantum noktasının taban durum-uyarılmış durumlar için enerji seviyeleri, verici safsızlığının bağlanma enerjileri, dielektrik sabitleri (bağıl dielektrik geçirgenlikleri) soğurma katsayısı ve krılma indis değişimleri incelenmiştir. Hesaplama sonuçlarından, bağlanma enerjisinin ve optik özelliklerin kuantum nokta boyutlarına ve safsızlığa güçlü bir şekilde bağlı olduğu görülmüştür. Anahtar Kelimeler: Kuantum nokta, yoğunluk matrisi, dielektrik sabiti, verici safsızlığı