一种具有加热功能的TO-CAN发射组件
本发明公开了一种具有加热功能的TO‑CAN发射组件,通过将加热电阻设置在凸台上靠近DML芯片在凸台侧面的投影区域位置设置,当环境温度低于低温极限温度时进行加热,将热量传导给DML芯片,使DML芯片温度上升到低温极限温度以上;当环境温度高于低温极限时,加热电阻停止发热,DML芯片通过热沉往外传导热量,最终使DML芯片能够在工业级温度范围内使用。本发明提出了一种新式的加热电阻设置结构,相比较现有的复杂的TEC控制方式,本发明适用于仅对TO‑CAN发射组件进行单向温度控制,只需给电阻供电,控制电路简单;相比较现有的在发射组件的底座外设置加热电阻片的方式而言,本发明的结构能够实现更快的温控响应。...
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ftchinacadscopt:oai:ir.opt.ac.cn:181661/92352 2023-05-15T16:01:22+02:00 一种具有加热功能的TO-CAN发射组件 孙甫 郭玲 刘倚红 辛华强 喻慧君 武汉电信器件有限公司 中国 2019-03-15 http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92352 unknown http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92352 cn.org.cspace.api.content.CopyrightPolicy@51f64052 H01S5/024 | H01S5/022 | G02B6/42 发明申请 申请中 专利 2019 ftchinacadscopt 2020-01-24T01:10:50Z 本发明公开了一种具有加热功能的TO‑CAN发射组件,通过将加热电阻设置在凸台上靠近DML芯片在凸台侧面的投影区域位置设置,当环境温度低于低温极限温度时进行加热,将热量传导给DML芯片,使DML芯片温度上升到低温极限温度以上;当环境温度高于低温极限时,加热电阻停止发热,DML芯片通过热沉往外传导热量,最终使DML芯片能够在工业级温度范围内使用。本发明提出了一种新式的加热电阻设置结构,相比较现有的复杂的TEC控制方式,本发明适用于仅对TO‑CAN发射组件进行单向温度控制,只需给电阻供电,控制电路简单;相比较现有的在发射组件的底座外设置加热电阻片的方式而言,本发明的结构能够实现更快的温控响应。 Other/Unknown Material DML Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics: OPT OpenIR (Chinese Academy of Sciences, CAS) |
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本发明公开了一种具有加热功能的TO‑CAN发射组件,通过将加热电阻设置在凸台上靠近DML芯片在凸台侧面的投影区域位置设置,当环境温度低于低温极限温度时进行加热,将热量传导给DML芯片,使DML芯片温度上升到低温极限温度以上;当环境温度高于低温极限时,加热电阻停止发热,DML芯片通过热沉往外传导热量,最终使DML芯片能够在工业级温度范围内使用。本发明提出了一种新式的加热电阻设置结构,相比较现有的复杂的TEC控制方式,本发明适用于仅对TO‑CAN发射组件进行单向温度控制,只需给电阻供电,控制电路简单;相比较现有的在发射组件的底座外设置加热电阻片的方式而言,本发明的结构能够实现更快的温控响应。 |
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